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陶瓷靶材在現有的復雜電子產品制造中,只不過占工程的較少部分,但起到了信息產業基礎先導材料的作用。我國電子信息產業發展很快,陶瓷濺射靶材的需求逐年增多,未來對陶瓷濺射靶材的研究和開發,是我國靶材供應商的一個重要的課題。
隨著電子產業的發展,高技術材料逐漸向薄膜轉移,鍍膜期間隨之發展迅速,靶材是一種具有高附加值的特種電子材料,是濺射薄膜材料的源較。陶瓷靶材作為非金屬薄膜產業發展的基礎材料,已得到從未有過的發展,靶材市場規模日益膨脹。國內的陶瓷平面靶材主要采用燒結及綁定工藝,可生產非常大長度600mm,非常大寬度400mmm,非常大厚度30mm,圓角、斜邊、臺階等異形根據客戶要求加工。
陶瓷靶材的特性要求:
(1)純度:陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大,純度越高,濺射薄膜的均勻性和批量產品的質量的一致性越好。幾年來,隨著微電子產業的發展,對成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴格,其純度必須大于4N。平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N。
(2)密度:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密實,濺射顆粒的密度月底,放電現場就越弱,薄膜的性能也越好。
(3)成分與結構均勻性:為保證濺射薄膜均勻,尤特在復雜的大面積鍍膜應用中,必須做到靶材成分與結構均勻性好。
濺射陶瓷靶材的制備,常用的成型方法有干壓成型、冷等靜壓成型等。冷等靜壓成型由于具有坯體密度高而且均勻,磨具制作方便,成本較低等優點,故而成為較常用的成型方法。陶瓷靶材的燒結常采用常壓燒結、熱壓燒結及氣氛燒結等方法。
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