廣州市尤特新材料有限公司

? ? ? 從應用情況來看，ITO透明導電膜玻璃主要被應用在 LCD 領域、工業領域和交通等領域。在 LCD 領域，ITO 玻璃應用范圍較廣，早被應用在計算器和電子表等設備的液晶顯示屏上。隨著電子技術的發展，ITO玻璃也逐漸在筆記本電腦、文字處理機和新一代液晶顯示器中得到應用。由于具有能耗低、無閃爍、抗干擾等優點，ITO 玻璃開始在電視機和太陽能電池面板等產品中得到應用，為LCD的發展奠定了良好基礎。? ? ?ITO是氧化銦錫的英文縮寫。我國作為LCD產品生產大國，每年將產生數百萬的ITO玻璃需求，建立了數十條ITO玻璃生產線，但是生產的ITO玻璃仍然供不應求。此外，利用 ITO 玻璃可以完成特種玻璃的制備，從而應用在汽車、飛機、航空設備等多個生產領域。應用 ITO 玻璃制備得到特種玻璃，不僅能夠實現隔熱降溫，還能連電去除冰霜，所以在國防工業、交通和航天等多個領域都能得到較好的應用。利用該種玻璃完成多功能建筑玻璃的制造，如電加熱玻璃、太陽能玻璃和防盜玻璃等，也能為建筑工程的設計提供更多選擇。? ? ?通過分析可以發現，ITO透明導電膜玻璃具有較多的優勢，能夠在多個領域得到較好的應用，所以擁有良好的應用前景。但就目前來看，該種玻璃具有一定的生產難度，在國內仍處于供不應求的狀態。因此，國內企業還應加強ITO玻璃的生產工藝技術研究，以便更好的進行市場開拓。? ? ?ITO靶材作為重要的工業生產原料，因為受制造難度限制，其先進生產技術依然主要被美國、日本等國家把持。近年來，國內出現了一批的靶材生產商，他們加大了技術研發和設備的投入，他們有了自己的研發中心和專利。擁有磁控濺射、冷噴涂、熱噴涂等技術及生產線，能單獨完成高等靶材的量產。尤特新材料成為其中的佼佼者，相信在不久的將來，尤特將在在高等靶材將在世界靶材市場占有一席之地。 [詳情]

　　噴涂制備金屬靶是利用電弧將靶材材料加熱到熔融或半熔融狀態，借助高速氣體將其霧化，形成小的熔滴，并加速噴射到襯管或襯板表面，快速冷卻凝固成金屬涂層靶材的過程。非金屬和陶瓷靶通常是利用等離子加熱粉末材料的方法噴涂制成。靶材熔鑄技術可分為三種不同的澆鑄形式：無襯管或襯板的整體式甩帶澆鑄、有襯管或襯板的直接澆鑄、分段甩帶澆鑄再粘結成靶材（Ag等）。　　熱噴涂和熔鑄靶材不同的生產過程決定了不同的成本構成。熱噴涂靶材的生產成本隨靶材厚度的增加而加大，噴涂靶材可以通過調整噴涂工藝獲得不同的靶材尺寸，噴涂的時間、消耗的氣體和能量是影響其成本的主要因素。而熔鑄旋轉靶材的成本隨厚度變化較小，靶材先熔鑄成型，而后機械加工達到尺寸要求。對于不同尺寸的旋轉靶材，其原材料和加工成本基本是固定的。　　國外企業大多使用的是噴涂工藝的旋轉陰較靶材，靶材的利用率高，可以到達80%，因而大量節約鍍膜成本，噴涂旋轉靶材在鍍膜行業得到了廣泛應用。? ? ? 以這款噴涂的旋轉硅鋁靶為例： ?旋轉硅鋁靶 Rotatable SiAl Alloy target ? 應用：用于制作SiO2膜、Si3N4膜，主要用于光學玻璃AR膜系，Low-E玻璃膜系,半導體電子, TFT, 平面顯示. 觸摸屏玻璃 ?產品化學成分和物理性能： 化學式：SiAl成分： SiAl（90：10wt%±2%、25:75wt%） 成型工藝：噴涂 密度: ?>2.2g/cm3（>94%） 純度: ?> 99.9% 雜質含量 （單位: ?ppm， 總雜質含量≤ 1000ppm) ?加工尺寸 長度L 4000MM ? ?厚度T 6-13MM 直型、狗骨型 按客戶要求定做 [詳情]

　　20世紀90年代以來靶材已蓬勃發展成為一個有經驗化產業，中國及亞太地區靶材的需求占有世界70%以上的市場份額。大量不同的沉積技術用來沉積生長各種薄膜，而靶材是制作薄膜的關鍵，品質的好壞對薄膜的意義重大。目前高等品質靶材主要由:日本、德國和美國生產，我國靶材產業起步較晚，在產品質量與精細標準上與國外有不少的差距，國內也有許多大學及研究機構對靶材積較投入了大量鉆研與開發，經過這幾年的發展,珠三角也涌現了一批高新科技靶材廠家，其中少數成為了三星等全部知名企業的供應商，他們在國內占據了大部分中高等靶材市場份額。　　1靶材應用行業分類　　1.1裝飾、工模具鍍膜行業靶材鉻靶（Cr），平面鉻靶，噴涂鉻管；　　鉻硅靶90/10Wt%,50/50at%,25/75at%(電弧，平面靶，旋轉管靶）；　　鈦鋁靶50/50at%,70Ti/30at%,67AL/33at%（電弧，平面靶，旋轉管靶）；　　鈦鋁硅靶1:1:1at%,1:2:1at%(電弧，平面靶，旋轉管靶）；　　鈦靶，鈦管靶，鋯靶；　　金靶、玫瑰金靶；　　石墨靶，鎳靶，鋁靶，不銹鋼靶等。　　1.2太陽能光伏光熱行業靶材　　氧化鋅鋁靶AZO；硅靶；鈦靶、氧化鈦靶；鋁靶；鉻靶、鎳鉻；鋅鋁、鎢、鉬靶等。　　1.3建筑汽車玻璃大面積鍍膜　　硅鋁靶、旋轉硅鋁靶；氧化鈦靶；錫靶；鉻靶；硅靶；鈦靶、不銹鋼靶。　　1.4平面顯示行業　　ITO靶；二氧化硅靶；高純硅靶4-7N；高純鉻靶3N5；TFT鉬靶；鉬鈮靶；鎢鈦靶90/10wt%；高純鋁靶等。　　1.5光學，光通信，光存儲行業　　銀靶；鉭靶；硫化鋅靶；高純鋁靶；硅靶。　　2常用靶形　　常用靶形有電弧靶、平面靶、旋轉管靶。　　2.1平面靶材利用率提高方式　　（1）改變磁鐵運動方向　　（2）改變磁力線分布寬度和高度　　2.2靶材性能與要求　　靶材質量直接影響著薄膜的物理、外觀、力學等性能，因而對靶材質量的評判較為嚴格，主要應滿足以下要求：雜質及氧含量低、純度高；致密度高；成分與結構均勻；晶粒尺寸細小。　　2.3劣質靶材缺點　　a)為熔煉鉻靶燒蝕后靶面情況　　b)靶面有凹痕為引弧針安裝不當導致的　　c)水晶鍍膜靶材密度不夠，燒蝕后區別　　d)等離子噴涂氧化鈦旋轉管靶不良 [詳情]

　　磁控濺射技術由于其顯著的優點成為工業鍍膜主要技術之一，改進靶的設計進一步提高靶材利用率及鍍膜均勻性，降低鍍膜成本也是現在鍍膜技術亟須解決的關鍵問題之一，多年來一直被靶材研究人員關注。與德國、日本等世界靶材強國相比，我國磁控濺射靶材研究相對落后，但是近年來，隨著大部分國家光電產業的發展，國內大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。　　從磁控濺射鍍膜技術誕生以來，人們主要關注磁控濺射的問題是：靶材的利用率、沉積效率、薄膜均勻性、鍍膜過程中的穩定性以及滿足各種復雜的鍍膜要求等問題。對于大多數磁控鍍膜設備特別是平面磁控濺射靶，由于正交電磁場對濺射離子的作用關系，將其約束在閉合磁力線中，使得濺射靶材在濺射中產生不均勻沖蝕現象，一旦靶材刻蝕穿，靶材即報廢，進而造成靶材的利用率一直較低，一般是30%以下。靶材是磁控濺射過程中的基本耗材，不僅使用量大，而且靶材利用率的高低對工藝過程及生產周期起著至關重要的作用，雖然目前靶材可以回收再利用，但是其仍然對企業成本控制上以及提高企業產品競爭力有很大的影響。因此想方設法提高靶材利用率是必然的。對此國內外很多廠商也做出了很多改進的措施。　　當前，當前提高磁控陰較靶材利用率的原理主要基于改變靶面閉合磁場位形，方法上大致分為靜態方法和動態方法。靜態法與動態法均有其優點及缺點，靜態法對磁鋼的位形有著較高的要求而且磁鋼位形的改變而造成的磁場的改變對靶材利用率的影響需要大量的進行模擬及實驗，但是一旦成功后即可獲得顯著的效果；動態法就是動態的變換靶面磁場的分布，進而改變靶面等離子體刻蝕區域，拓寬靶材的刻蝕區域，提高靶材的利用率以及鍍膜的均勻性，但是這種方法較大的增加了磁控陰較的結構以及制造組裝的復雜性。　　平面轉管狀：多年來，鍍膜設備主要使用平面陰較，要求平面靶材與之配套。雖然人們通過設計移動磁場等方式來提高平面靶材的利用率，但目前，平面靶材的利用率較高也只能達到40%左右。為了進一步提高靶材利用率，人們設計了使用效率更高的旋轉陰較，用管狀的靶材進行濺射鍍膜。濺射設備的改進要求靶材從平面形狀改變為管狀，管狀旋轉靶材的利用率可以高達80%以上。　　近年來，國內大型靶材供應商加大了對磁控濺射靶材的研發力度，廣州、深圳等地的靶材供應商，已可以量產出高品質、高利用率的磁控靶材，相信在不久的將來，這些的靶材供應商將會對國外靶材強國發起一波強而有力的沖擊。 [詳情]

　　真空鍍膜首先是應用于光學領域，二戰中德國人首先采用真空蒸發鍍膜法鍍制了大量的光學鏡片應用于軍事望遠鏡和瞄準鏡，并一直發展到高透過率、高反射率、分光過濾等現代光學玻璃鍍膜應用；在另一真空鍍的應用領域：新興的電子行業，真空鍍膜法被大量應用于電阻、電容和半導體的制造，后來這一技術又逐漸發展成為集成電路和微電子器件的細微加工領域，并一直應用到現在；同樣新興的材料改性也需要提供大量具有特殊性能的工程材料，而在材料改性和薄膜技術方面真空電鍍又是走在了技術的，特別是在高腐蝕、高耐溫、高度度、高潤滑等領域，真空鍍膜法有其強大的技術優勢并將一直發展下去。　　伴隨著真空電鍍設備和技術的不斷改進，加工成本的不斷降低硅鋁旋轉靶材，特別是自70年代后期磁控濺射鍍膜工藝和設備的發展，越來越多的真空鍍膜加工被應用到裝飾+防腐領域，特別是在一些高等消費品的表面裝飾已經可以看到真空電鍍的應用了。　　靶材供應品種：銀（Ag）靶、Cr靶、Ti靶、鎳鉻（NiCr）靶、鋅錫（ZnSn）靶、硅鋁（SiAl）靶、氧化鈦（TixOy）靶等。靶材在玻璃上的另一個重要應用是制備汽車后視鏡，主要是鉻靶、鋁靶、氧化鈦靶等。隨著汽車后視鏡檔次要求的不斷提高，很多企業紛紛從原來的鍍鋁工藝轉成真空濺射鍍鉻工藝。　　旋轉銀靶，作為旋轉靶中的杰出代表，在各種鍍膜中起著較其重要的作用，尤其在玻璃鍍膜中應用廣泛。旋轉銀靶鍍出來的產品，其結構分布更均勻，致密度更高，更適合生產高等產品。其換靶的周期更長，更能提高鍍膜企業的生產效率，降低其生產成本，在國外已得到廣泛的應用。 [詳情]

?　　磁控濺射技術由于其顯著的優點成為工業鍍膜主要技術之一，改進靶的設計進一步提高靶材利用率及鍍膜均勻性，降低鍍膜成本也是現在鍍膜技術亟須解決的關鍵問題之一，多年來一直被靶材研究人員關注。與德國、日本等世界靶材強國相比，我國磁控濺射靶材研究相對落后，但是近年來，隨著大部分國家光電產業的發展，國內大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。　　從磁控濺射鍍膜技術誕生以來，人們主要關注磁控濺射的問題是：靶材的利用率、沉積效率、薄膜均勻性、鍍膜過程中的穩定性以及滿足各種復雜的鍍膜要求等問題。對于大多數磁控鍍膜設備特別是平面磁控濺射靶，由于正交電磁場對濺射離子的作用關系，將其約束在閉合磁力線中，使得濺射靶材在濺射中產生不均勻沖蝕現象，一旦靶材刻蝕穿，靶材即報廢，進而造成靶材的利用率一直較低，一般是30%以下。靶材是磁控濺射過程中的基本耗材，不僅使用量大，而且靶材利用率的高低對工藝過程及生產周期起著至關重要的作用，雖然目前靶材可以回收再利用，但是其仍然對企業成本控制上以及提高企業產品競爭力有很大的影響。因此想方設法提高靶材利用率是必然的。對此國內外很多廠商也做出了很多改進的措施。　　當前，當前提高磁控陰較靶材利用率的原理主要基于改變靶面閉合磁場位形，方法上大致分為靜態方法和動態方法。靜態法與動態法均有其優點及缺點，靜態法對磁鋼的位形有著較高的要求而且磁鋼位形的改變而造成的磁場的改變對靶材利用率的影響需要大量的進行模擬及實驗，但是一旦成功后即可獲得顯著的效果；動態法就是動態的變換靶面磁場的分布，進而改變靶面等離子體刻蝕區域，拓寬靶材的刻蝕區域，提高靶材的利用率以及鍍膜的均勻性，但是這種方法較大的增加了磁控陰較的結構以及制造組裝的復雜性。　　平面轉管狀：多年來，鍍膜設備主要使用平面陰較，要求平面靶材與之配套。雖然人們通過設計移動磁場等方式來提高平面靶材的利用率，但目前，平面靶材的利用率較高也只能達到40%左右。為了進一步提高靶材利用率，人們設計了使用效率更高的旋轉陰較，用管狀的靶材進行濺射鍍膜。濺射設備的改進要求靶材從平面形狀改變為管狀，管狀旋轉靶材的利用率可以高達80%以上。　　近年來，國內大型靶材供應商加大了對磁控濺射靶材的研發力度，廣州、深圳等地的靶材供應商，已可以量產出高品質、高利用率的磁控靶材，相信在不久的將來，這些的靶材供應商將會對國外靶材強國發起一波強而有力的沖擊。 [詳情]

　　陶瓷靶材在現有的復雜電子產品制造中，只不過占工程的較少部分，但起到了信息產業基礎先導材料的作用。我國電子信息產業發展很快，陶瓷濺射靶材的需求逐年增多，未來對陶瓷濺射靶材的研究和開發，是我國靶材供應商的一個重要的課題。　　隨著電子產業的發展，高技術材料逐漸向薄膜轉移，鍍膜期間隨之發展迅速，靶材是一種具有高附加值的特種電子材料，是濺射薄膜材料的源較。陶瓷靶材作為非金屬薄膜產業發展的基礎材料，已得到從未有過的發展，靶材市場規模日益膨脹。國內的陶瓷平面靶材主要采用燒結及綁定工藝，可生產非常大長度600mm，非常大寬度400mmm，非常大厚度30mm，圓角、斜邊、臺階等異形根據客戶要求加工。　　陶瓷靶材的特性要求：　　（1）純度：陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大，純度越高，濺射薄膜的均勻性和批量產品的質量的一致性越好。幾年來，隨著微電子產業的發展，對成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴格，其純度必須大于4N。平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N。　　（2）密度：為了減少陶瓷靶材的氣孔，提高薄膜性能，要求濺射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密實，濺射顆粒的密度月底，放電現場就越弱，薄膜的性能也越好。　　（3）成分與結構均勻性：為保證濺射薄膜均勻，尤特在復雜的大面積鍍膜應用中，必須做到靶材成分與結構均勻性好。　　濺射陶瓷靶材的制備，常用的成型方法有干壓成型、冷等靜壓成型等。冷等靜壓成型由于具有坯體密度高而且均勻，磨具制作方便，成本較低等優點，故而成為較常用的成型方法。陶瓷靶材的燒結常采用常壓燒結、熱壓燒結及氣氛燒結等方法。 [詳情]

隨著市場需求的變化，中高等靶材成為鍍膜行業必不可缺的部分，近年國內的靶材行業發展迅速，靶材供應商紛紛加大研發和投入，廣東的靶材供應商發展勢頭強勁，中高等的靶材制造商在廣州實現量產。靶材產品的種類也越來越豐富 ：銀（Ag）靶、Cr靶、Ti靶、鎳鉻（NiCr）靶、鋅錫（ZnSn）靶、硅鋁（SiAl）靶、氧化鈦（TixOy）靶，鎳鉻靶等。靶材在玻璃上的另一個重要應用是制備汽車后視鏡，主要是鉻靶、鋁靶、氧化鈦靶等。由于汽車后視鏡檔次要求的不斷提高，這些企業紛紛從原來的鍍鋁工藝轉成真空濺射鍍鉻工藝。伴隨著電子產業的發展，高技術材料逐漸向薄膜轉移，鍍膜期間隨之發展迅速，靶材是一種具有高附加值的特種電子材料，是濺射薄膜材料的源較。陶瓷靶材作為非金屬薄膜產業發展的基礎材料，已得到從未有過的發展，靶材市場規模日益膨脹。國內的陶瓷平面靶材主要采用燒結及綁定工藝，可生產非常大長度600mm，非常大寬度400mmm，非常大厚度30mm，圓角、斜邊、臺階等異形根據客戶要求加工。陶瓷靶材的特性要求： （1）純度：陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大，純度越高，濺射薄膜的均勻性和批量產品的質量的一致性越好。幾年來，隨著微電子產業的發展，對成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴格，其純度必須大于4N。平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N。 （2）密度：為了減少陶瓷靶材的氣孔，提高薄膜性能，要求濺射陶瓷靶材具有高密度。靶材越密實，濺射顆粒的密度月底，放電現場就越弱，薄膜的性能也越好。 （3）成分與結構均勻性：為保證濺射薄膜均勻，尤特在復雜的大面積鍍膜應用中，必須做到靶材成分與結構均勻性好。相信在不久的將來，國內會有更多的靶材供應商，向國外中高等靶材市場發起一波強而有力的沖擊。 [詳情]

目前國內氧化物薄膜材料的制備方法和技術有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發、分子束外延等物理方法，以及化學氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學方法。在這些制備技術中，磁控濺射鍍膜技術具有易于大面積鍍膜、工業化生產以及薄膜品質、成分、結構、均勻性等易于調控的優勢，是產業化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發光二較管等產業上獲得了廣泛應用。目前，氧化物薄膜材料的主要成型方法主要有： 1. 熱等靜壓法是將粉末或預先壓成的素坯裝入包套后，再將套內抽真空焊接密封，放入高壓容器內，使粉末在高溫及等方壓力下燒結，成型和燒結同時進行 。在ITO靶材的發展中，早期采用的熱等靜壓技術難以獲得高密度、大尺寸的材料。隨著常壓燒結方法的出現，熱等靜壓法制備的靶材尺寸偏小、密度偏低、失氧率高且該方法設備偏貴、成本偏高的缺點，使熱等靜壓法在ITO陶瓷靶材的制備上不再具備競爭優勢，后續的研究和產業化逐漸被產業界淡化，但還是比較適合需要缺氧的陶瓷靶材 。2. 冷等靜壓法是將預先成型的素坯放入橡膠包套內浸于高壓液體下使之承受各向同性的壓力，實現素坯密度的強化。冷等靜壓只是獲得密度盡可能高的素坯，使素坯的燒結致密化更為容易。由于冷等靜壓不具有熱等靜壓的燒結能力，需要單獨的燒結工藝對素坯進行燒制。冷等靜壓能生產大尺寸的靶材，是目前多數企業優先選擇的成型方法。國內外的成型研究表明，冷等靜壓法可以制備出滿足陶瓷靶材所需的高品質素坯。但冷等靜壓成型超大尺寸的素坯時，由于受到腔室尺寸的限制，會導致設備投入資金非常昂貴，而且在素坯較薄、尺寸非常大時存在變形問題。同時，壓制不同尺寸的素坯時，需要制備不同規格的預壓模具，模具成本較高。3. 噴涂法是利用高壓氣體（N2、H2 、混合氣體或空氣）攜帶粉末顆粒經縮放管產生超音速雙相流，在完全固態下撞擊基體，通過非常大的塑性流動變形沉積于綁定背板表面而形成涂層，涂層逐層增厚，獲得陶瓷靶材。由基本的噴涂法又衍生出等離子體噴涂、電弧噴涂、超音速火焰噴涂、冷噴涂等噴涂成型技術。使用氧化鈮粉體和少量金屬Nb，用等離子體噴涂實現了工業化制備旋轉氧化鈮靶材。近年來，用噴涂成型工藝在高等的ITO、AZO、IGZO靶材成型上有了非常大的打破，廣州、深圳等地的大型的靶材制造商已成功制備出高性能的靶材。4. 濕法成型是通過將氧化物粉體制備成漿料，然后通過自我凝固、吸水或者壓濾等方式實現特定外形的素坯，干燥后獲得高密度的素坯。濕法成型不僅可以實現冷等靜壓成型的功能，而且還能彌補冷等靜壓成型的不足。陶瓷靶材的濕法成型有注漿成型、膠態成型、直接凝固成型等。噴涂法是目前應用較多的技術，其制備的產品品質高，穩定性好。除了以上所述成型方法外，人們還研究了沖擊成型法和爆開成型法等，目前這些新型成型方法尚在研究階段，要實現產業化還有很多研究工作需要進一步細化。 [詳情]

? ? 近些年來，平面顯示器走進千家萬戶的家庭之中，人們看電視時的液晶電視，智能手機的觸摸屏等等，這些設備都運用到了ITO靶材。在沒有這種材料之前，人們使用的是臺式電腦，臺式電視，使用的是滑蓋手機，翻蓋手機等。隨著平板顯示器尺寸大型化的發展，對ITO靶材尺寸及密度的要求也越來越高，熱壓設備與技術已遠遠不能滿足其要求。因此，以燒結工藝生產大尺寸、高密度ITO靶材已成為國內各大靶材生產廠家研發的要點。? ? ITO靶主要用于ITO膜透明導電玻璃的制作，后者是制造平面液晶顯示的主要材料，在電子工業、信息產業方面有著廣闊而重要的應用。ITO靶材被廣泛應用于各大行業之中，但主要應用于平板顯示器中，它是濺射ITO導電薄膜的主要原料，沒有它的存在，諸多的材料將無法實現正常加工以及設計。ITO靶材的用途: LCD經過長時間的發展后，產品質量不斷提升，成本也不斷下降，對ITO靶材的要求也隨之提高，因此，配合LCD的發展，未來ITO靶材發展大致有以下的趨勢： 1.降低電阻率。隨著LCD愈來愈精細化發展的趨向，以及它的驅動程序不同，需要更小電阻率的透明導電膜。 2.高密度化。靶材密度的改善直接帶來的益處主要表現在減少黑化和降低電阻率方面。靶材若為密度小時，有效濺射表面積會減少，濺射速度也會降低，靶材表面黑化趨勢加劇。高密度靶的表面變化少，可以得到低電阻膜。靶材密度與壽命也有關，高密度的靶材壽命較長，意味著可降低靶材成本。 3.尺寸大型化。隨著液晶模塊產品輕薄化和低價化趨勢的不斷發展，相應的ITO玻璃基板也出現了明顯的大型化的趨勢，因此ITO靶材單片尺寸大型化不可避免。 4.靶材本體整體化。如前所述，靶材將朝大面積發展，以往技術能力不足時，必須使用多片靶材拼焊成大面積，但由于接合處會造成鍍膜質量下降，因此目前大多以一體成形為主，以提升鍍膜質量與使用率。未來新世代LCD玻璃基板尺寸的加大，對靶材生產廠家是一項嚴苛的挑戰。 5.使用效率高率化。靶材使用率的提升，一直是設備商、使用者及靶材制造商共同努力的方向。目前靶材利用率可達40%，隨著液晶顯示器行業對材料成本要求的提高，提高ITO靶材的利用率也將是未來靶材研發的方向之一。? ? 近年來，國內的靶材廠家發展速度，以尤特新材料為首的靶材生產商，加大了研發的投入，并引進國內外先進的生產和檢驗設備，其制造的靶材已達到國外先進進口靶材的品質，5N6N的高純靶材生產技術也日趨成熟。相信，不久將來，國內的靶材企業能在全部市場上也占有一席之地。 [詳情]