英特爾宣布玻璃基板技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，克服AI芯片“翹曲壁壘”！

1月16日，英特爾(納斯達(dá)克股票代碼：INTC)正宣布其玻璃基板技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)(HVM)。這項(xiàng)技術(shù)的核心是英特爾位于亞利桑那州錢德勒市的先進(jìn)工廠，它代表了近三十年來(lái)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域最重大的變革之一，為定義下一代生成式人工智能的1000瓦處理器提供了必要的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。

此舉的直接意義不容低估。英特爾通過(guò)以玻璃取代傳統(tǒng)的有機(jī)樹脂，打破了“翹曲壁壘”——這種現(xiàn)象指的是大型人工智能芯片與其外殼的熱脹冷縮速率不一致，從而導(dǎo)致機(jī)械故障。到2026年初，這項(xiàng)突破不再是研究項(xiàng)目，而是英特爾最新服務(wù)器處理器的基石，也是其不斷擴(kuò)張的晶圓代工業(yè)務(wù)的關(guān)鍵服務(wù)，標(biāo)志著該公司在人工智能硬件領(lǐng)域爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位的過(guò)程中，戰(zhàn)略方向發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變。

英特爾向玻璃基板的轉(zhuǎn)型解決了芯片設(shè)計(jì)中一個(gè)迫在眉睫的危機(jī)：隨著芯片尺寸的增大，諸如味之素增材制造膜(ABF)之類的有機(jī)材料無(wú)法保持平整和剛性。現(xiàn)代人工智能加速器通常將數(shù)十個(gè)“芯片組”集成到單個(gè)封裝中，其尺寸和發(fā)熱量都非常大，以至于傳統(tǒng)基板在制造過(guò)程中或承受高熱負(fù)荷時(shí)經(jīng)常會(huì)發(fā)生翹曲或開裂。相比之下，玻璃具有超低的平整度和亞納米級(jí)的表面粗糙度，為光刻工藝提供了近乎完美的“光學(xué)”表面。這種高精度使英特爾能夠以十倍更高的互連密度蝕刻電路，從而實(shí)現(xiàn)萬(wàn)億參數(shù)人工智能模型所需的海量I/O吞吐量。

從技術(shù)角度來(lái)看，玻璃的優(yōu)勢(shì)具有變革性。英特爾 2026 年的封裝方案與硅的熱膨脹系數(shù) (CTE) 相匹配(3–5  ppm/?C)，幾乎完全消除了導(dǎo)致焊球開裂的機(jī)械應(yīng)力。此外，玻璃的剛度遠(yuǎn)高于有機(jī)樹脂，能夠支持尺寸超過(guò) 100mm x 100mm  的“突破光罩限制”封裝。為了連接這些巨型芯片的各個(gè)層，英特爾采用了間距小于 10μm 的高速激光蝕刻玻璃通孔 (TGV)。這一改進(jìn)使處理核心和高帶寬內(nèi)存  (HBM4) 堆疊之間的數(shù)據(jù)傳輸信號(hào)損耗降低了 40%，能效提高了 50%。

英特爾成功實(shí)現(xiàn)玻璃基板的大規(guī)模量產(chǎn)，標(biāo)志著計(jì)算機(jī)發(fā)展史上的一個(gè)決定性轉(zhuǎn)折點(diǎn)。通過(guò)突破有機(jī)材料的物理限制，英特爾不僅改進(jìn)了單個(gè)組件，更重塑了現(xiàn)代人工智能賴以構(gòu)建的基礎(chǔ)。這一突破確保了人工智能計(jì)算的發(fā)展不會(huì)再受制于“翹曲壁壘”或散熱限制，而是將在日益復(fù)雜高效的三維架構(gòu)中煥發(fā)新生。

展望2026年，業(yè)界將密切關(guān)注英特爾的良率及其代工服務(wù)的普及情況。“Clearwater  Forest”至強(qiáng)處理器的成功將是“玻璃封裝”技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的首次考驗(yàn)，其性能很可能決定其他廠商跟進(jìn)的速度。目前，英特爾已重新奪回了關(guān)鍵的技術(shù)領(lǐng)先地位，這證明在人工智能霸主之爭(zhēng)中，最重要的突破或許并非硅芯片本身，而是將硅芯片連接在一起的“玻璃封裝”技術(shù)。

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